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AGMSEMI
P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.3mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：48nC@10V,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj...
MPQ:3000
MOQ:50
50+
$0.0806
100+
$0.07922
500+
$0.07784
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AGMSEMI
P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.3mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：48nC@10V,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj...
MPQ:3000
MOQ:5
5+
$0.15805
50+
$0.12419
150+
$0.10969
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