AGM30P10S
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AGM403A1
AGMSEMI
N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：105W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.3mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：20nC@10V ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) BLDC(无刷电机)推荐料,Vds=40V Id=120A Rds=2.3mΩ(3.6mΩ最大)
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AGM14N10MNA
AGMSEMI
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AGM403A1
AGMSEMI
N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：105W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.3mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：20nC@10V ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) BLDC(无刷电机)推荐料,Vds=40V Id=120A Rds=2.3mΩ(3.6mΩ最大)
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AGM40P20S
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AGM12T08D
AGMSEMI
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AGM30P10S
AGMSEMI
P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：3.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：15nC@25V,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) 通用料（低压MOSFET 电源、储能电源等）Vds=-30V Id=-14A Rds=12mΩ)
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AGM1075S
AGMSEMI
N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd)：2.45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：62mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：6.0nC@10V,工作温度：-55℃~+175℃@(Tj) Vds=100V Id=10A Rds=62mΩ
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