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AGMSEMI

AGMSEMI半导体技术股份文化:技术驱动创新、品质塑造品牌 AGMSEMI半导体技术股份有限公司(AGM-Semi)是中国现代大功率半导体器件的领航设计与销售企业,专业从事各种大功率 半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售。目标成为客户全球最具价值的功率半导体器件与服务供应商。 公司产品的特点是:性能与可靠性超越同行,应用偏向高端。注重品牌和信誉。 目前专注于超结大功率MOS器件(Split Gate MOSFET)、NPT-IGBT、沟槽型大功率MOS器件研发设计、生产、测试、 质量考核、销售与服务。公司立足于自主创新,拥有自主知识产权和致力于“AGM-Semi”自主产品品牌。公司在中国大陆、香港分别建立了设计与运营中心、销售公司以及外包芯片流片基地、成品封装基地、成品测 试基地,并有完善的质量控制保证体系,确保产品品质的一致性和稳定性。 公司注重团体力量和综合竞争力的建设;注重怎样为客户提高市场竞争力;注重公司系统的不断完善。虔诚的服务态度 和迅速的执行力,竭诚为客户提供优质、创新、低成本的功率半导体产品和应用系统。

Part No
Brand
Specification
MPQ|MOQ
Quantity
US Dollar
Delivery Date
Operation
AGMSEMI
MPQ:3000
MOQ:20
20+
$0.01924
200+
$0.01505
600+
$0.01272
AGMSEMI
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 功率(Pd):1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.9V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):17nC@10V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)...
MPQ:3000
MOQ:100
100+
$0.01605
500+
$0.01576
1000+
$0.01548
3000+
$0.01529
More
AGMSEMI
MPQ:3000
MOQ:20
20+
$0.01676
200+
$0.01638
600+
$0.01612
AGMSEMI
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 功率(Pd):1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.9V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):17nC@10V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)...
MPQ:3000
MOQ:20
20+
$0.01834
200+
$0.01791
600+
$0.01763
AGMSEMI
N沟道 漏源电压(Vdss):19.5V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):9.1nC@10V,工作温度:-55℃~+150℃@...
MPQ:3000
MOQ:100
100+
$0.01925
500+
$0.01892
1000+
$0.01858
3000+
$0.01834
More
AGMSEMI
N沟道 漏源电压(Vdss):19.5V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):9.1nC@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃...
MPQ:3000
MOQ:100
100+
$0.01925
500+
$0.01892
1000+
$0.01858
3000+
$0.01834
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AGMSEMI
P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.4A 功率(Pd):1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):43.5mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.9V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):22nC@10V,工作温度:-55℃~+150℃@(T...
MPQ:3000
MOQ:10
10+
$0.03888
100+
$0.03087
300+
$0.02687
3000+
$0.02336
6000+
$0.02096
9000+
$0.01975
More
AGMSEMI
N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):8.8nC@10V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) ...
MPQ:3000
MOQ:100
100+
$0.02086
500+
$0.02049
1000+
$0.02013
3000+
$0.01987
More
AGMSEMI
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.6A 功率(Pd):1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):12nC@10V,工作温度:-55℃~+150℃@(T...
MPQ:3000
MOQ:100
100+
$0.02086
500+
$0.02049
1000+
$0.02013
3000+
$0.01987
More
AGMSEMI
P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5.0A 功率(Pd):1.32W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,4.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):8.8nC@10V,工作温度:-55℃~+150℃...
MPQ:3000
MOQ:100
100+
$0.02086
500+
$0.02049
1000+
$0.02013
3000+
$0.01987
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