UMT1N

FEATURED PRODUCT SOMRON

• BZT52C12

  YANGJIE

  封装:SOD-123 损耗功率 PD(mW):500 稳压值VZ@IZT Nom(V):12 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):25 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):150 反向漏电流 IR@VR(μA):0.1 反向测试电压 VR(V):8

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• BCP56-16Q

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  封装:SOT-223 极性:NPN 集电极耗散功率PCM:1.5 集电极电流:1 集电极基极击穿电压:100 集电极发射极击穿电压:80 发射极击穿电压BVEBO:5

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• SMCJ28A

  YANGJIE

  SMCJ28A SMC

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• BAS321

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  封装:SOD-323 损耗功率 PD:250 平均电流 IF:200 反向击穿电压 VBR:200 正向电压:1.25 正向测试电流 IF:200 反向漏电流 IRM:0.1 反向测试电压 VR:200 反向恢复时间 trr:50

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• MBL10SA

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  整流桥

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• BCX55

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  封装:SOT-89 极性:NPN 集电极耗散功率PCM（mW） :500 集电极电流IC（A）:1 集电极发射极击穿电压 BVCBO :60 集电极发射极击穿电压 BVCEO:60 发射极击穿电压 BVEBO:5 放大倍数 Min:63 放大倍数 Max:250 频率Ft:130

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• BC846BSQ

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  封装:SOT-363 极性:NPN 集电极耗散功率PCM（mW）:200 集电极电流IC（mA）:100 集电极发射极击穿电压BVCEO(V) :65 放大倍数 Min:200 放大倍数 Max:450

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• SF58G

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  封装:DO-201AD 最大正向电流lo(A):5 最大反向峰值电压VRM (V):600 最大正向浪涌电流IFSM(A):150 最大正向压降VF(V):1.7 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):2.5 最大反向恢复时间 Trr（ns）:35 结电容 Cj(PF):30 工作结温Tj（℃）:-55～+150

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• BCX56-16Q

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  封装:SOT-89 极性:NPN 集电极耗散功率PCM:0.5 集电极电流:1 集电极基极击穿电压:100 集电极发射极击穿电压:80 发射极击穿电压BVEBO:5

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• KBU810

  YANGJIE

  1000V

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