P6SMB170CAQ
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FEATURED PRODUCT SOMRON
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MUR860
YANGJIE
封装:TO-220AC 最大正向电流lo(A):8 最大反向峰值电压VRM (V):600 最大正向浪涌电流IFSM(A):100 最大正向压降VF(V):1.6 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):10 最大反向恢复时间 Trr(ns):35 结电容 Cj(PF):40 工作结温Tj(℃):-55~+175
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MMBT5551Q
YANGJIE
封装:SOT-23 极性:NPN 集电极耗散功率PCM(mW):300 集电极电流IC(mA):600 集电极发射极击穿电压BVCEO(V) :160 放大倍数 Min:100 放大倍数 Max:300
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SF58G
YANGJIE
封装:DO-201AD 最大正向电流lo(A):5 最大反向峰值电压VRM (V):600 最大正向浪涌电流IFSM(A):150 最大正向压降VF(V):1.7 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):2.5 最大反向恢复时间 Trr(ns):35 结电容 Cj(PF):30 工作结温Tj(℃):-55~+150
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SMBJ12CA
YANGJIE
SMBJ12CA
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BAS321
YANGJIE
封装:SOD-323 损耗功率 PD:250 平均电流 IF:200 反向击穿电压 VBR:200 正向电压:1.25 正向测试电流 IF:200 反向漏电流 IRM:0.1 反向测试电压 VR:200 反向恢复时间 trr:50
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DB107S
YANGJIE
DB107S
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BZT52C12
YANGJIE
封装:SOD-123 损耗功率 PD(mW):500 稳压值VZ@IZT Nom(V):12 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):25 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):150 反向漏电流 IR@VR(μA):0.1 反向测试电压 VR(V):8
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ES3D
YANGJIE
封装:SMC 最大正向电流lo(A):3 最大反向峰值电压VRM (V):200 最大正向浪涌电流IFSM(A):100 最大正向压降VF(V):0.95 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 最大反向恢复时间 Trr(ns):35 结电容 Cj(PF):60 工作结温Tj(℃):-55~+150
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KBU810
YANGJIE
1000V
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BZX84C3V3
YANGJIE
封装:SOT-23 损耗功率 PD(mW):350 稳压值VZ@IZT Nom(V):3.3 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):95 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):600 反向漏电流 IR@VR(μA):5 反向测试电压 VR(V):1
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