MBRB10150CT

FEATURED PRODUCT SOMRON

• BAS321

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  封装:SOD-323 损耗功率 PD:250 平均电流 IF:200 反向击穿电压 VBR:200 正向电压:1.25 正向测试电流 IF:200 反向漏电流 IRM:0.1 反向测试电压 VR:200 反向恢复时间 trr:50

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• MMBT2907A

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  封装:SOT-23 极性:PNP 集电极耗散功率 mW:300 集电极电流 mA:-600 集电极基极击穿电压 V:-60 集电极发射极击穿电压 V:-60 发射极击穿电压BVEBO:100 频率Ft:200

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• BZX84C3V3

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  封装:SOT-23 损耗功率 PD(mW):350 稳压值VZ@IZT Nom(V):3.3 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):95 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):600 反向漏电流 IR@VR(μA):5 反向测试电压 VR(V):1

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• BZT52C12

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  封装:SOD-123 损耗功率 PD(mW):500 稳压值VZ@IZT Nom(V):12 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):25 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):150 反向漏电流 IR@VR(μA):0.1 反向测试电压 VR(V):8

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• ES3D

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  封装:SMC 最大正向电流lo(A):3 最大反向峰值电压VRM (V):200 最大正向浪涌电流IFSM(A):100 最大正向压降VF(V):0.95 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 最大反向恢复时间 Trr（ns）:35 结电容 Cj(PF):60 工作结温Tj（℃）:-55～+150

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• MUR860

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  封装:TO-220AC 最大正向电流lo(A):8 最大反向峰值电压VRM (V):600 最大正向浪涌电流IFSM(A):100 最大正向压降VF(V):1.6 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):10 最大反向恢复时间 Trr（ns）:35 结电容 Cj(PF):40 工作结温Tj（℃）:-55～+175

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• MMBT5551Q

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  封装:SOT-23 极性:NPN 集电极耗散功率PCM（mW）:300 集电极电流IC（mA）:600 集电极发射极击穿电压BVCEO(V) :160 放大倍数 Min:100 放大倍数 Max:300

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• MBL10SA

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  整流桥

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• KBP310

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  KBP310

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• KBU810

  YANGJIE

  1000V

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