HS3GB
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Specification
| Vf-Forward Voltage | 1.3V |
| If-forward Current | 3A |
| Reverse recovery time | 50nS |
| Vr-reverse voltage | 400V |
| 工厂最小包装 | 3000 |
| 寿命周期 | 量产 |
| ROHS | no |
| Configuration | 独立式 |
| Reverse Leakage Current | 5uA |
Others include "HS3GB" parts
The following parts include 'HS3GB'
HS3GB Releted Information
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FEATURED PRODUCT SOMRON
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1N4148W
YANGJIE
封装:SOD-123 损耗功率 PD:400 平均电流 IF:150 反向击穿电压 VBR:100 正向电压:1 正向测试电流 IF:10 反向漏电流 IRM:1 反向测试电压 VR:75 反向恢复时间 trr:4
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SS24A
YANGJIE
封装:SMA 最大正向电流lo(A):2 最大反向峰值电压VRM (V):40 最大正向浪涌电流IFSM(A):50 最大正向压降VF(V):0.5 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):0.5 结电容 Cj(PF):100 工作结温Tj（℃）:-55～+125
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ES2D
YANGJIE
封装:SMB 最大正向电流lo(A):2 最大反向峰值电压VRM (V):200 最大正向浪涌电流IFSM(A):50 最大正向压降VF(V):0.95 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 最大反向恢复时间 Trr（ns）:35 结电容 Cj(PF):31 工作结温Tj（℃）:-55～+150
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G1M
YANGJIE
封装:SOD-123FL 最大正向电流lo(A):1 最大反向峰值电压VRM (V):1000 最大正向浪涌电流IFSM(A):30 最大正向压降VF(V):1.1 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 结电容 Cj(PF):7 工作结温Tj（℃）:-55～+150
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ES1J
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SMBJ12CA
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ES2J-F1-0000HF
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ESDSLC0504S2A
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S8050-H
YANGJIE
封装:SOT-23 极性:NPN 集电极耗散功率 mW:300 集电极电流 mA:500 集电极基极击穿电压 V:40 集电极发射极击穿电压 V:25 发射极击穿电压BVEBO:200 频率Ft:150
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SS110A
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