GS3M
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Specification
| Vr-reverse voltage | 1kV |
| Package | SMC |
| If-forward Current | 3A |
| Vf-Forward Voltage | 1.1V |
| 工厂最小包装 | 3000 |
| 寿命周期 | 量产 |
| ROHS | yes |
| Configuration | 独立式 |
| Reverse Leakage Current | 5uA |
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GS3M Releted Information
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封装:SOT-23 极性:Bi 最大反向漏电流IR@VRWM(μA):0.1 峰值工作反向电压VRWM(V) :24 最大脉冲峰值电流IPP(A):7 最大箝位电压:44 结电容Cj(Typ):30 工作结温 Tj（℃）:-55～+150
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封装:SOP-8 结构:Single 产品极性:P 漏源电压:-100 栅源电压:±20
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封装:SMC 最大正向电流lo(A):3 最大反向峰值电压VRM (V):1000 最大正向浪涌电流IFSM(A):100 最大正向压降VF(V):1.1 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 结电容 Cj(PF):25 工作结温Tj（℃）:-55～+150
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ESD3V3LB
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封装:DFN1006-2L 极性:Bi 击穿电压Min.(V):3.5 最大反向漏电流 :0.1 峰值工作反向电压 :3.3 最大脉冲峰值电流:9 最大箝位电压:9 结电容:10 工作温度范围:125
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BZX584B10VQ
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封装:SOD-523 损耗功率:200 稳压值VZ@IZT Nom(V):10 测试电流 (mA) :5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):20 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):150 反向漏电流 IR@VR(μA) :0.2 反向测试电压 VR(V):7
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封装:SOD-123 损耗功率:500 稳压值VZ@IZT Nom(V):36 测试电流 (mA) :2 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):90 测试电流 Izk (mA):0.5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):350 反向漏电流 IR@VR(μA) :0.1 反向测试电压 VR(V):25.2
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