E1G
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Specification
| Reverse recovery time | 35nS |
| If-forward Current | 1A |
| Vr-reverse voltage | 400V |
| Vf-Forward Voltage | 1.3V |
| 工厂最小包装 | 3000 |
| 寿命周期 | 量产 |
| ROHS | yes |
| Reverse Leakage Current | 5uA |
| Configuration | 独立式 |
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The following parts include 'E1G'
E1G Releted Information
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FEATURED PRODUCT SOMRON
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BCX56-16
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封装:SOT-89 极性:NPN 集电极耗散功率PCM（mW） :500 集电极电流IC（A）:1 集电极发射极击穿电压 BVCBO :100 集电极发射极击穿电压 BVCEO:80 发射极击穿电压 BVEBO:5 放大倍数 Min:100 放大倍数 Max:250 频率Ft:130
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YJL3407C
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SMA UniorBi:Bi 最大功耗 PPk（W）:400 峰值工作反向电压VRWM(V):40 正向浪涌电流:40
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封装:SMA UniorBi:Bi 最大功耗PPk:400W 峰值工作反向电压VRWM:6.5V 正向浪涌电流:40
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SS14A
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封装:SMA 最大正向电流lo(A):1 最大反向峰值电压VRM (V):40 最大正向浪涌电流IFSM(A):30 最大正向压降VF(V):0.5 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):0.5 结电容 Cj(PF):50 工作结温Tj（℃）:-55～+125
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EM520AG
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封装:SMA-W 最大正向电流lo(A):0.5 最大反向峰值电压VRM (V):2000 最大正向浪涌电流IFSM(A):20 最大正向压降VF(V):2 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 结电容 Cj(PF):4.5 工作结温Tj（℃）:-55～+150
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MURB860
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最大正向电流lo:8A 最大反向峰值电压VRM:600V 最大正向浪涌电流IFSM:100A 最大正向压降VF:1.6V 最大反向漏电流IR@25℃IR:10uA 最大反向恢复时间Trr:35ns 结电容Cj:100pF 工作结温Tj:-55℃～+150℃
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BAV21W
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封装:SOD-123 损耗功率 PD:400 平均电流 IF:200 反向击穿电压 VBR:200 正向电压:1 正向测试电流 IF:100 反向漏电流 IRM:0.1 反向测试电压 VR:200 反向恢复时间 trr:50
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