BZX84C2V7T

FEATURED PRODUCT SOMRON

• G1M

  YANGJIE

  封装:SOD-123FL 最大正向电流lo(A):1 最大反向峰值电压VRM (V):1000 最大正向浪涌电流IFSM(A):30 最大正向压降VF(V):1.1 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 结电容 Cj(PF):7 工作结温Tj（℃）:-55～+150

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• YJQ35N04A

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  YJQ35N04A DFN3.3x3.3

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• GBJ2506

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  封装:6KBJ 最大正向电流lo(A):25 最大反向峰值电压VRM (V):600 最大正向浪涌电流IFSM(A):320 最大正向压降VF(V):1 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 工作结温Tj（℃）:-55～+150

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• BZT52B18

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  封装:SOD-123 损耗功率 PD(mW):500 稳压值VZ@IZT Nom(V):18 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):50 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):225 反向漏电流 IR@VR(μA):0.1 反向测试电压 VR(V):14

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• GBJ3510A

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  封装:6KBJ 最大正向电流lo(A):35 最大反向峰值电压VRM (V):1000 最大正向浪涌电流IFSM(A):400 最大正向压降VF(V):1 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 工作结温Tj（℃）:-55～+150

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• F1M

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• MBRB20200CT

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  封装:TO-263 最大正向电流lo(A):20 最大反向峰值电压VRM (V):200 最大正向浪涌电流IFSM(A):150 最大正向压降VF(V):0.9 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):0.1 结电容 Cj(PF):400 工作结温Tj（℃）:-55～+175

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• BC847B

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  封装:SOT-23 极性:NPN 集电极耗散功率 mW:200 集电极电流 mA:100 集电极基极击穿电压 V:50 集电极发射极击穿电压 V:45 发射极击穿电压BVEBO:200 频率Ft:100

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• MMSZ5231B

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  封装:SOD-123 损耗功率 PD(mW):500 稳压值VZ@IZT Nom(V):5.1 测试电流 IZT(mA):20 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):17 测试电流 Izk (mA):0.25 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):1600 反向漏电流 IR@VR(μA):5 反向测试电压 VR(V):2

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• SD103AWSQ

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  封装:SOD-323 不重复反向电压VR:40 平均电流IF（A）:0.35 浪涌电流IFSM (A) :1.5 正向电压:0.6 正向测试电流:200 反向漏电流:5 反向测试电流:30 反向恢复时间:-

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