BAS16T

FEATURED PRODUCT SOMRON

• SMBJ6.8CA

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  封装:SMB UniorBi:Bi 最大功耗 PPk:600W 峰值工作反向电压VRWM:5.8V 正向浪涌电流:100

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• SMBJ26CA

  YANGJIE

  SMBJ26CA

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• YJD45G10AQ

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  封装:TO-252 极性:N 漏源击穿电压VDSS（V）:100 零栅极电压漏极电流ID（A）:45 损耗功率PD（W) :73 栅源电压VGS(V) :±20 门极阈值电压:1.8

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• MMDT3904

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  MMDT3904-F2-0000HF SOT363

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• ESDSLC5V0D3BA

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  封装:SOD-323 极性:Bi 击穿电压Min.(V):6 最大反向漏电流 :0.2 峰值工作反向电压 :5 最大脉冲峰值电流:18 最大箝位电压:20 结电容:1 工作温度范围:125

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• MMBT3906

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  封装:SOT-23 极性:PNP 集电极耗散功率 mW:300 集电极电流 mA:-200 集电极基极击穿电压 V:-40 集电极发射极击穿电压 V:-40 发射极击穿电压BVEBO:100 频率Ft:250

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• YJD112010FQG2

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  ITO-220 Blocking Voltage(V):1200 Current Rating（A）:10 Generation:Gen2 Forward Voltage(VF)（V）:1.42 Reverse leakage current:1.3 Forward surge current:85 Total Capacitive Charge:53 Total Power Dissipation:36 Thermal resistance:4.1

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• BZT52C15S

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  封装:SOD-323 损耗功率 PD(mW):300 稳压值VZ@IZT Nom(V):15 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):30 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):200 反向漏电流 IR@VR(μA):0.1 反向测试电压 VR(V):10.5

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• BZT52C3V3

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  封装:SOD-123 损耗功率 PD(mW):500 稳压值VZ@IZT Nom(V):3.3 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):95 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):600 反向漏电流 IR@VR(μA):5 反向测试电压 VR(V):1

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• HER208G

  YANGJIE

  超高效整流二极管

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