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AGMSEMI
P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：56nC@10V,工作温度：-55℃~+150℃@(T...
MPQ:3000
MOQ:1
1+
$0.71642
10+
$0.57879
30+
$0.50927
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AGMSEMI
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MPQ:3000
MOQ:50
50+
$0.40808
100+
$0.40105
500+
$0.39401
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AGMSEMI
P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：56nC@10V,工作温度：-55℃~+150℃@(T...
MPQ:3000
MOQ:1
1+
$0.49745
30+
$0.4803
100+
$0.44599
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AGMSEMI
P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：56nC@10V,工作温度：-55℃~+150℃@(T...
MPQ:3000
MOQ:1
1+
$0.62197
100+
$0.51807
750+
$0.48002
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