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AGMSEMI
P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：95A 功率(Pd)：135W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.6mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：106nC@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(...
MPQ:3000
MOQ:1
1+
$0.20758
AGMSEMI
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MPQ:3000
MOQ:50
50+
$0.24479
100+
$0.2406
500+
$0.23642
More
AGMSEMI
P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：95A 功率(Pd)：135W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.6mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：106nC@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(...
MPQ:3000
MOQ:1
1+
$0.28941
30+
$0.27943
100+
$0.25947
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AGMSEMI
P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：95A 功率(Pd)：135W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.6mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：106nC@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(...
MPQ:3000
MOQ:1
1+
$0.48319
10+
$0.39833
30+
$0.35655
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