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AGMSEMI
P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：138A 功率(Pd)：138W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：150nC@10V 工作温度：-55℃~+150℃@...
MPQ:2500
MOQ:1
1+
$0.39681
10+
$0.31171
30+
$0.27506
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AGMSEMI
P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：138A 功率(Pd)：138W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：150nC@10V 工作温度：-55℃~+150℃@...
MPQ:2500
MOQ:1
1+
$0.24722
30+
$0.23869
100+
$0.22164
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AGMSEMI
P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：138A 功率(Pd)：138W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：150nC@10V 工作温度：-55℃~+150℃@...
MPQ:2500
MOQ:50
50+
$0.2291
100+
$0.22518
500+
$0.22126
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