YJG100N04A
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MURS460-F1-0000 SMC
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BAS40-04
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封装:SOT-23 反向击穿电压:40 平均电流 IF(A):0.2 浪涌电流 IFSM(A):- 正向电压 VF(V):1 正向电流 @IF(mA):40 反向漏电流 IR(μA):0.2 反向电压 IR@VR(V):30 反向恢复时间 TRR(nS):5
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BZT52B13
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封装:SOD-123 损耗功率 PD(mW):500 稳压值VZ@IZT Nom(V):13 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):25 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):170 反向漏电流 IR@VR(μA):0.1 反向测试电压 VR(V):10
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BZT52C11
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封装:SOD-123 损耗功率 PD(mW):500 稳压值VZ@IZT Nom(V):11 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):20 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):150 反向漏电流 IR@VR(μA):0.1 反向测试电压 VR(V):8
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BAS321
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封装:SOD-323 损耗功率 PD:250 平均电流 IF:200 反向击穿电压 VBR:200 正向电压:1.25 正向测试电流 IF:200 反向漏电流 IRM:0.1 反向测试电压 VR:200 反向恢复时间 trr:50
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SR5100
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SR5100 DO-201AD
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F1J
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封装:SOD-123FL 最大正向电流lo(A):1 最大反向峰值电压VRM (V):600 最大正向浪涌电流IFSM(A):30 最大正向压降VF(V):1.3 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 最大反向恢复时间 Trr（ns）:250 结电容 Cj(PF):6 工作结温Tj（℃）:-55～+150
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SMBJ30CAQ
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