HER503G
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Specification
| Reverse recovery time | 50nS |
| Vr-reverse voltage | 200V |
| Vf-Forward Voltage | 1V |
| If-forward Current | 5A |
| 工厂最小包装 | 1250 |
| 寿命周期 | 量产 |
| ROHS | no |
| Reverse Leakage Current | 2.5uA |
| Configuration | 独立式 |
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HER503G Releted Information
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SMA 最大正向电流lo(A):3 最大反向峰值电压VRM (V):60 最大正向浪涌电流IFSM(A):80 最大正向压降VF(V):0.7 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):100 结电容:135 工作结温:-55～+150 AEC-Q101
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封装:MBS 最大正向电流lo(A):0.8 最大反向峰值电压VRM (V):1000 最大正向浪涌电流IFSM(A):30 最大正向压降VF(V):1 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 工作结温Tj（℃）:-55～+150
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ES3D
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封装:SMC 最大正向电流lo(A):3 最大反向峰值电压VRM (V):200 最大正向浪涌电流IFSM(A):100 最大正向压降VF(V):0.95 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 最大反向恢复时间 Trr（ns）:35 结电容 Cj(PF):60 工作结温Tj（℃）:-55～+150
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GS8M
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封装:SMC 最大正向电流lo(A):8 最大反向峰值电压VRM (V):1000 最大正向浪涌电流IFSM(A):200 最大正向压降VF(V):1.1 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 结电容 Cj(PF):55 工作结温Tj（℃）:-55～+150
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MMBT2907A
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封装:SOT-23 极性:PNP 集电极耗散功率 mW:300 集电极电流 mA:-600 集电极基极击穿电压 V:-60 集电极发射极击穿电压 V:-60 发射极击穿电压BVEBO:100 频率Ft:200
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