HD8S

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Specification
Vr-reverse voltage | 800V |
Vf-Forward Voltage | 1V |
If-forward Current | 800mA |
Forward Surge Current | 30A |
Package | MBS |
工厂最小包装 | 2500 |
寿命周期 | 量产 |
ROHS | no |
Reverse Leakage Current | 5uA |
Others include "HD8S" parts
The following parts include 'HD8S'
HD8S Releted Information
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FEATURED PRODUCT SOMRON
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GS1M
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封装:SMA 最大正向电流lo(A):1 最大反向峰值电压VRM (V):1000 最大正向浪涌电流IFSM(A):30 最大正向压降VF(V):1.1 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 结电容 Cj(PF):8 工作结温Tj(℃):-55~+150
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BZT52C18S
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封装:SOD-323 损耗功率 PD(mW):300 稳压值VZ@IZT Nom(V):18 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):45 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):225 反向漏电流 IR@VR(μA):0.1 反向测试电压 VR(V):12.6
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BZT52B36
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封装:SOD-123 损耗功率 PD(mW):500 稳压值VZ@IZT Nom(V):36 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):90 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):350 反向漏电流 IR@VR(μA):0.1 反向测试电压 VR(V):27
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BZT52B12
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封装:SOD-123 损耗功率 PD(mW):500 稳压值VZ@IZT Nom(V):12 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):20 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):150 反向漏电流 IR@VR(μA):0.1 反向测试电压 VR(V):9
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BZX84B15
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BZT52B4V3
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封装:SOD-123 损耗功率 PD(mW):500 稳压值VZ@IZT Nom(V):4.3 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):95 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):600 反向漏电流 IR@VR(μA):5 反向测试电压 VR(V):1
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BZT52B2V4
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封装:SOD-123 损耗功率 PD(mW):500 稳压值VZ@IZT Nom(V):2.4 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):100 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):600 反向漏电流 IR@VR(μA):45 反向测试电压 VR(V):1
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BZT52B4V7
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封装:SOD-123 损耗功率 PD(mW):500 稳压值VZ@IZT Nom(V):4.7 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):78 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):500 反向漏电流 IR@VR(μA):5 反向测试电压 VR(V):2
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BZT52C18
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封装:SOD-123 损耗功率 PD(mW):500 稳压值VZ@IZT Nom(V):18 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):45 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):225 反向漏电流 IR@VR(μA):0.1 反向测试电压 VR(V):12.6
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