HD10S

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FEATURED PRODUCT SOMRON
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BAS40-05
YANGJIE
封装:SOT-23 反向击穿电压:40 平均电流IF:0.2A 浪涌电流IFSM(A):- 正向电压VF:1V 正向电流@IF:40mA 反向漏电流IR:0.2uA 反向电压IR@VR:30V 反向恢复时间TRR:5nS
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HS2M
YANGJIE
封装:SMB 最大正向电流lo:2A 最大反向峰值电压VRM:1000V 最大正向浪涌电流IFSM:50A 最大正向压降VF:1.7V 最大反向漏电流IR@25℃IR:5uA 最大反向恢复时间Trr:75ns 结电容Cj:12pF 工作结温Tj:-55℃~+150℃
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M7F
YANGJIE
整流二极管
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MBR20200CD
YANGJIE
封装:TO-252 最大正向电流lo(A):20 最大反向峰值电压VRM (V):200 最大正向浪涌电流IFSM(A):150 最大正向压降VF(V):0.9 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):0.1 结电容 Cj(PF):600 工作结温Tj(℃):-55~+175
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ES2GA
YANGJIE
封装:SMA 最大正向电流lo(A):2 最大反向峰值电压VRM (V):400 最大正向浪涌电流IFSM(A):50 最大正向压降VF(V):1.3 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 最大反向恢复时间 Trr(ns):35 结电容 Cj(PF):17 工作结温Tj(℃):-55~+150
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BAV99
YANGJIE
封装:SOT-23 损耗功率 PD:350 平均电流 IF:200 反向击穿电压 VBR:75 正向电压:1.25 正向测试电流 IF:150 反向漏电流 IRM:2.5 反向测试电压 VR:75 反向恢复时间 trr:4
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1N4148WL2
YANGJIE
封装:DFN1006-2L 损耗功率 PD:100 平均电流 IF:150 反向击穿电压 VBR:100 正向电压:1.25 正向测试电流 IF:150 反向漏电流 IRM:1 反向测试电压 VR:75 反向恢复时间 trr:4
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1N5408G
YANGJIE
封装:DO-201AD 最大正向电流lo(A):3 最大反向峰值电压VRM (V):1000 最大正向浪涌电流IFSM(A):200 最大正向压降VF(V):1.1 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):2.5 结电容 Cj(PF):40 工作结温Tj(℃):-55~+150
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SMF28CA
YANGJIE
SOD-123
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BZT52C6V2
YANGJIE
封装:SOD-123 损耗功率 PD(mW):500 稳压值VZ@IZT Nom(V):6.2 测试电流 IZT(mA):5 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):10 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):150 反向漏电流 IR@VR(μA):3 反向测试电压 VR(V):4
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