BZX584C12V
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Specification
| Package | SOD-523 |
| Pd-Power Dissipation | 200mW |
| zener voltage | 12V |
| zener impedance | 25Ω |
| 工厂最小包装 | 8000 |
| 寿命周期 | 量产 |
| ROHS | no |
| Reverse Leakage Current | 100nA |
| Configuration | 独立式 |
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BZX584C12V Releted Information
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1N5408G
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封装:DO-201AD 最大正向电流lo(A):3 最大反向峰值电压VRM (V):1000 最大正向浪涌电流IFSM(A):200 最大正向压降VF(V):1.1 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):2.5 结电容 Cj(PF):40 工作结温Tj（℃）:-55～+150
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1N4148WL2
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封装:DFN1006-2L 损耗功率 PD:100 平均电流 IF:150 反向击穿电压 VBR:100 正向电压:1.25 正向测试电流 IF:150 反向漏电流 IRM:1 反向测试电压 VR:75 反向恢复时间 trr:4
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封装:SMC 最大正向电流lo(A):3 最大反向峰值电压VRM (V):600 最大正向浪涌电流IFSM(A):100 最大正向压降VF(V):1.7 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):5 最大反向恢复时间 Trr（ns）:35 结电容 Cj(PF):29 工作结温Tj（℃）:-55～+150
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BAV99
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封装:SOT-23 损耗功率 PD:350 平均电流 IF:200 反向击穿电压 VBR:75 正向电压:1.25 正向测试电流 IF:150 反向漏电流 IRM:2.5 反向测试电压 VR:75 反向恢复时间 trr:4
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BZT52C56S
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封装:SOD-323 损耗功率 PD(mW):300 稳压值VZ@IZT Nom(V):56 测试电流 IZT(mA):2 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):200 测试电流 Izk (mA):1 动态电阻 ZZT@IZT(Ω):1000 反向漏电流 IR@VR(μA):0.1 反向测试电压 VR(V):42
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SMBJ15CA
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SMB UniorBi:Bi 最大功耗PPk（W）:600 峰值工作反向电压VRWM(V):15 正向浪涌电流:100
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GBL408A-B1-0000 GBL
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封装:SMA 最大正向电流lo(A):2 最大反向峰值电压VRM (V):60 最大正向浪涌电流IFSM(A):50 最大正向压降VF(V):0.7 最大反向漏电流IR@25℃IR(uA):0.5 结电容 Cj(PF):100 工作结温Tj（℃）:-55～+150
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BAS40-05
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封装:SOT-23 反向击穿电压:40 平均电流IF:0.2A 浪涌电流IFSM(A):- 正向电压VF:1V 正向电流@IF:40mA 反向漏电流IR:0.2uA 反向电压IR@VR:30V 反向恢复时间TRR:5nS
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